學(xué)術(shù)報告
報告題目：高遷移率薄膜晶體管及其在新型顯示和類腦計算中的應(yīng)用探索
報告人：華南理工大學(xué)發(fā)光材料與器件國家重點實驗室蘭林鋒研究員
報告時間：2025年1月6日上午9：40
報告地點：知行樓B509
報告摘要：薄膜晶體管（Thin-Film Transistor,，TFT）是以非硅薄膜型半導(dǎo)體為有源層的場效應(yīng)晶體管，其作為數(shù)據(jù)寫入或讀出的基礎(chǔ)單元器件廣泛用于顯示及各類傳感陣列中,。在顯示應(yīng)用方面,，TFT面臨遷移率低、穩(wěn)定性差的問題,。課題組研究了稀土離子的電荷轉(zhuǎn)移躍遷對氧化物半導(dǎo)體的光穩(wěn)定性的改善作用,。研究表明：四價稀土離子（ 如Pr4+和Tb4+）的電荷轉(zhuǎn)移躍遷能將入射光下轉(zhuǎn)換成無輻射躍遷（從|Ln4f n—O2p6>態(tài)轉(zhuǎn)移至|Ln4f n+1—O2p5>），大幅降低光生電子的壽命,，從而大幅改善氧化物TFT光熱穩(wěn)定性,，同時提高遷移率。相關(guān)材料與通過京東方,、TCL華星的工藝驗證,，目前正導(dǎo)入高世代G8.6產(chǎn)線。此外,，進一步探索了TFT的可拉伸化構(gòu)建及其在類腦計算中的新應(yīng)用,，實現(xiàn)了具有長程可塑、學(xué)習記憶功能的可拉伸突觸晶體管,。
報告人簡介：蘭林鋒,，華南理工大學(xué)發(fā)光材料與器件國家重點實驗室研究員，光電系主任,，博士生導(dǎo)師，國家優(yōu)秀青年基金獲得者,、珠江學(xué)者,。科技部“十五五”規(guī)劃總體專家組專家,，教育部全國研究生教育評估監(jiān)測專家,，教育部首批全國高校“黃大年式”教師團隊成員,。擔任國際信息顯示協(xié)會（北京分會）技術(shù)委員會委員,，中國物理學(xué)會發(fā)光分會委員，Materials期刊編委,。主要從事半導(dǎo)體材料與器件,、薄膜晶體管、新型顯示,、柔性電子,、印刷電子等方向的研究。獲廣東省技術(shù)發(fā)明一等獎,、中國光學(xué)科技獎三等獎,、全國顛覆性技術(shù)創(chuàng)新大賽優(yōu)秀獎、世界客屬優(yōu)秀青年博士獎,、廣東省材料研究學(xué)會青年科技獎等,。發(fā)表SCI論文150多篇,，被引用5000多次。獲授權(quán)發(fā)明專利40多件,。編寫“十三五”國家重點規(guī)劃出版物《印刷顯示材料與技術(shù)》,、“十四五”國家重點規(guī)劃出版物《薄膜晶體管材料與技術(shù)》等教材或?qū)Ｖ?/p>
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物理與電子科學(xué)學(xué)院
2025年1月3日